SI4420DYTR【PDF 7/8 页】MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

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Si4420DY

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SI4420DYTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC - Tape and Reel

SI4420DYTRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4421-A0-FT 功能描述:射频收发器 Tranceivers - IA4421 RoHS:否制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray

Si4421-A0-FTR 功能描述:射频收发器 Transceiver-EZRadio RoHS:否制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray

Si4421-A1-FT 功能描述:射频收发器 TRANSCEIVR EZRadio UNIVRSL ISM BAND FSK RoHS:否制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray

SI4421-A1-FTR 功能描述:射频收发器 Transceiver EZRadio RoHS:否制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray

SI4421DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI4421DY-T1 功能描述:MOSFET 20V 14A 1.5W RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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